半桥、全桥或上端采用NMOS的驱动电路

对于半桥、全桥或上端采用NMOS的电路一般都需要专门的驱动电路，常见的有变压器隔离驱动、电容隔离驱动及自举电路。

在这些驱动电路中都需要解决上管Vg的波动问题，见下图

图1 半桥电路

图1 中上管的G和D脚电压从0到400伏跳变（假设输入400V），上管驱动和下管驱动都来自于同一控制系统同一参考地所以控制系统将承受0到400伏的电压跳变。

解决方案有一下几种：

变压器隔离驱动

电容隔离驱动

自举+三极管开漏驱动

差分驱动

变压器隔离驱动

图2 变压器隔离驱动

因为变压器不理想初次级之间存在寄生电容，MOS管侧的高压脉动会通过寄生电容传递到控制侧，对驱动而言变压器漏感越小越好，但漏感小寄生电容大所以需综合考虑。

电容隔离驱动

图3 电容隔离驱动

电容隔离驱动分为高频和低频两个通道我们通常用的是低频通道，芯片自身产生一个远高于电源开关频率的频率通过调制的方式将驱动信号传递到次级再经LPF滤波还原回原驱动信号

三极管开漏驱动

图4 常规自举电路

图4一般用于低压系统比如两轮电动车（电压36~72V），如果电压范围太宽则电阻R2取值困难，R2取大阻值时驱动能力不足或影响开关速度R2取小阻值高压时损耗太大。

（自举电路需要注意的是占空比不能太小否则驱动能力不足）

差分驱动

图5 差分自举电路

图5是图4电路的改进版，首先电阻取大解决功耗问题其次差分驱动解决驱动能力不足的问题。